本報訊記者許子皓報道：近日，有報道稱，為了發展新一代功率半導體，韓國30家本土半導體企業以及大學和研究所組建碳化硅產業聯盟，以應對急速增長的碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)等寬禁帶半導體所引領的新型功率半導體市場，從而形成韓國本土碳化硅生態圈。
據悉，聯盟內的30家韓國功率半導體企業將共同參與材料、零部件、設備的開發，培育與碳化硅半導體相關的材料、零部件和設備企業的發展。其中，LX Semicon將負責研發碳化硅半導體，SK siltron則負責碳化硅襯底，Hana Materials和STI將研發碳化硅半導體零件和設備技術。
嘉泉大學、光云大學和國民大學將支持碳化硅半導體研發基礎設施，國立納米材料研究所和韓國陶瓷工程技術研究所將提供技術支持。
賽迪顧問集成電路中心高級咨詢顧問池憲念介紹，硅材料已經受技術瓶頸和研制成本劇增等因素影響，正逼近極限。碳化硅由于其化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好、硬度高等特性，被稱為“理想器件”，也是當前寬禁帶半導體中應用場景最為廣范的材料。目前碳化硅器件在EV/HEV上應用主要是功率控制單元(PCU)、逆變器、DC-DC轉換器、車載充電器等方面。全球各國都在爭相研究，進度突飛猛進，其中在半導體領域，在材料和元器件占據優勢的日本更是下足了功夫。
除了日本企業以外，Cree、英飛凌、意法半導體、安森美等國際知名半導體企業也在全球范圍內布局寬禁帶半導體產業，增長勢頭迅猛。目前寬禁帶功率半導體市場主要由德國、美國和日本的半導體公司主導。韓國多家企業此時組建碳化硅聯盟，目的是為了搶占本土寬禁帶功率半導體市場，以免受制于人。
（文章來源：中國電子報）
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